BSP135H6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP135H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP316PH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSP135H6327XTSA1 | BSP316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSP135H6327XTSA1 | — |
| FET Type | N-Channel, Depletion Mode | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 45 ohm at VGS = 0 V | — |
| On-Resistance RDS(on) | 25 ohm (typical, per digchip) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Operating Mode | Normally ON (depletion) | — |
| Paket | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) | PG-SOT223-4 (TO-261-4) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | SIPMOS (planar DMOS) | SIPMOS (P-channel MOSFET) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction, typical) | -55 C to +150 C (junction) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -680 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | — | 1.8 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Pin Sayısı | — | 3 + thermal tab |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Packaging | — | Tape & Reel (H6327 suffix) |