BSP78HUMA1 vs BSP88H6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP78HUMA1 بواسطة Infineon و BSP88H6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSP78HUMA1 BSP88H6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology Smart SIPMOS (N-channel vertical power FET) SIPMOS (planar enhancement mode)
الوظيفة Self-protected low-side power switch —
Operating Supply Voltage (Vbb) 4.5 V to 42 V —
Continuous Load Current Up to 3 A —
On-state Resistance (Rds(on)) 200 mΩ typical —
Input Logic Level Logic-level (3.3 V / 5 V compatible) —
Current Limitation Yes (internal) —
الإيقاف الحراري Yes (with auto-restart) —
Overvoltage Protection Yes (load-dump tolerant) —
Short-circuit Protection Yes —
Overload Protection Yes —
ESD Protection Yes (on input pin) —
Diagnostic Output Open-drain status flag —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40 °C to +150 °C —
العلبة PG-SOT223-4 (TO-261-4) with exposed tab PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualification Qualified —
حالة RoHS Compliant (Green product) —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
درجة حرارة التشغيل — -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر