BSP78HUMA1 vs BSP88H6327XTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSP78HUMA1 מאת Infineon ו BSP88H6327XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSP78HUMA1 BSP88H6327XTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Technology Smart SIPMOS (N-channel vertical power FET) SIPMOS (planar enhancement mode)
פונקציה Self-protected low-side power switch —
Operating Supply Voltage (Vbb) 4.5 V to 42 V —
Continuous Load Current Up to 3 A —
On-state Resistance (Rds(on)) 200 mΩ typical —
Input Logic Level Logic-level (3.3 V / 5 V compatible) —
Current Limitation Yes (internal) —
כיבוי תרמי Yes (with auto-restart) —
Overvoltage Protection Yes (load-dump tolerant) —
Short-circuit Protection Yes —
Overload Protection Yes —
ESD Protection Yes (on input pin) —
Diagnostic Output Open-drain status flag —
טמפרטורת צומת פעולה -40 °C to +150 °C —
מארז PG-SOT223-4 (TO-261-4) with exposed tab PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualification Qualified —
סטטוס RoHS Compliant (Green product) —
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
טמפרטורת פעולה — -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר