BSP78HUMA1 vs BSP88H6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP78HUMA1 tarafından Infineon ve BSP88H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP78HUMA1 BSP88H6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology Smart SIPMOS (N-channel vertical power FET) SIPMOS (planar enhancement mode)
Fonksiyon Self-protected low-side power switch —
Operating Supply Voltage (Vbb) 4.5 V to 42 V —
Continuous Load Current Up to 3 A —
On-state Resistance (Rds(on)) 200 mΩ typical —
Input Logic Level Logic-level (3.3 V / 5 V compatible) —
Current Limitation Yes (internal) —
Termal Kapatma Yes (with auto-restart) —
Overvoltage Protection Yes (load-dump tolerant) —
Short-circuit Protection Yes —
Overload Protection Yes —
ESD Protection Yes (on input pin) —
Diagnostic Output Open-drain status flag —
İşletim Jant Sıcaklığı -40 °C to +150 °C —
Paket PG-SOT223-4 (TO-261-4) with exposed tab PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualification Qualified —
RoHS Durumu Compliant (Green product) —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
İşletim Sıcaklığı — -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL level]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin