BSR316PH6327XTSA1 vs BSP129H6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSR316PH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSP129H6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSR316PH6327XTSA1 | BSP129H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSR316PH6327XTSA1 | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | P-Channel Enhancement Mode | N-Channel, Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | -360 mA | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | [DATA_NEEDED: ID at TC specific value] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 1800 mOhm at VGS = -10 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | -1.7 V typical, -2.5 V max | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Power Dissipation (Tc) | 500 mW | — |
| العلبة | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent) | PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C (junction) | — |
| Qualification | Automotive | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Polarity | P-Channel | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 350 mA |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 4.2 ohm (some sources 6 ohm) |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 1.8 W |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Threshold Voltage VGS(off) | — | [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] |
| dv/dt Ruggedness | — | Yes (rated) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free | — | Yes |
| Process Technology | — | SIPMOS (vertical DMOS) |
| Drain Terminal | — | Tab (pin 4) |