BSR316PH6327XTSA1 vs BSP129H6327XTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSR316PH6327XTSA1 מאת Infineon ו BSP129H6327XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSR316PH6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSR316PH6327XTSA1 —
Series OptiMOS —
FET Type P-Channel Enhancement Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) at TA -360 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC [DATA_NEEDED: ID at TC specific value] —
On-State Resistance RDS(on) max 1800 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.7 V typical, -2.5 V max —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Power Dissipation (Tc) 500 mW —
מארז PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +150 C (junction) —
Qualification Automotive —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Polarity P-Channel —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 350 mA
On-Resistance RDS(on) max — 4.2 ohm (some sources 6 ohm)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
טמפרטורת פעולה — -55 C to +150 C (junction)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage VGS(off) — [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)]
dv/dt Ruggedness — Yes (rated)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes
Process Technology — SIPMOS (vertical DMOS)
Drain Terminal — Tab (pin 4)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר