BSR802NL6327HTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSR802NL6327HTSA1 بواسطة Infineon و BSS87H6327FTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSR802NL6327HTSA1 | BSS87H6327FTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSR802NL6327HTSA1 | — |
| Technology | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 3.7 A (Ta=25C) | — |
| Power Dissipation (PD) max | 500 mW (Ta=25C) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | 23 mOhm @ VGS=4.5 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| العلبة | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | — |
| Qualification | Automotive | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| عدد الأطراف | 3 | 3 (Gate / Drain / Source) |
| FET Type | — | N-Channel enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 260 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1 W (Ta) |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 ohm max at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free / Pb-Free | — | Yes (Pb-free plating) |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Process Technology | — | Vertical DMOS |