BSR802NL6327HTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSR802NL6327HTSA1 disebabkan oleh Infineon dan BSS87H6327FTSA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSR802NL6327HTSA1 BSS87H6327FTSA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSR802NL6327HTSA1 —
Technology OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) max 3.7 A (Ta=25C) —
Power Dissipation (PD) max 500 mW (Ta=25C) —
On-Resistance (RDS(on)) typ 23 mOhm @ VGS=4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Kemasan PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Suhu Hubungan Operasi -55C to +150C —
Qualification Automotive —
Status RoHS Compliant Compliant
Kiraan Pin 3 3 (Gate / Drain / Source)
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gambaran Suhu Operasi — -55C to +150C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Aras MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Process Technology — Vertical DMOS

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga