BSR802NL6327HTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSR802NL6327HTSA1 bằng Infineon và BSS87H6327FTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSR802NL6327HTSA1 BSS87H6327FTSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSR802NL6327HTSA1 —
Technology OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) max 3.7 A (Ta=25C) —
Power Dissipation (PD) max 500 mW (Ta=25C) —
On-Resistance (RDS(on)) typ 23 mOhm @ VGS=4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Hộp PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +150C —
Qualification Automotive —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Số chân 3 3 (Gate / Drain / Source)
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +150C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Cấp MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Process Technology — Vertical DMOS

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá