BSS127H6327XTSA2 vs BSD214SNH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS127H6327XTSA2 بواسطة Infineon و BSD214SNH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSS127H6327XTSA2 | BSD214SNH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel SIPMOS, enhancement mode | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 21 mA (Ta) | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.5 V (logic level, rated) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 500 ohm at ID = 21 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW (Ta) | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +150 C | — |
| العلبة | SOT-23-3 (PG-SOT23) | SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 | — |
| dv/dt Rated | Yes | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| حالة RoHS | Compliant (lead-free) | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) at 25C | — | 1.5 A |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 500 mW |
| Gate Drive Voltage (Rds On rated) | — | 2.5 V, 4.5 V |
| Rds On (Max) @ Vgs=4.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] |
| Rds On (Max) @ Vgs=2.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] |
| Vgs(th) (typical) | — | [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction) |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| Standard Pack Quantity | — | 3000 (Tape & Reel) |