BSS138LT1G-VB vs BSS138LT1G مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS138LT1G-VB بواسطة VBsemi Elec و BSS138LT1G بواسطة onsemi. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

VBsemi Elec
BSS138LT1G-VB BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSS138LT1G-VB BSS138LT1G
العلامة التجارية VBsemi Elec onsemi
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 50 V —
Continuous Drain Current (Id) 200 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 225 mW (Ta) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
العلبة SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Configuration Single FET Single FET
Gate Threshold Voltage (Vgs th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) Max [DATA_NEEDED: RDS(on)] —
Drive Voltage [DATA_NEEDED: drive voltage] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
حالة RoHS Compliant Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom)
Manufacturer VBsemi Elec —
Equivalent To onsemi BSS138LT1G —
Drain-Source Voltage (VDS) — 50 V
Continuous Drain Current (ID) — 200 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 225 mW (Ta)
On-Resistance Max (RDS(on)) — 3.5 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-Source Voltage Max (VGS) — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Channel Mode — Enhancement Mode
Product Family — BSS138LT Series Small Signal MOSFET
Typical Applications — Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر