BSS138LT1G-VB vs BSS138LT1G موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS138LT1G-VB بذریعہ VBsemi Elec اور BSS138LT1G بذریعہ onsemi. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

VBsemi Elec
BSS138LT1G-VB BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS138LT1G-VB BSS138LT1G
برانڈ VBsemi Elec onsemi
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 50 V —
Continuous Drain Current (Id) 200 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 225 mW (Ta) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Configuration Single FET Single FET
Gate Threshold Voltage (Vgs th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) Max [DATA_NEEDED: RDS(on)] —
Drive Voltage [DATA_NEEDED: drive voltage] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom)
Manufacturer VBsemi Elec —
Equivalent To onsemi BSS138LT1G —
Drain-Source Voltage (VDS) — 50 V
Continuous Drain Current (ID) — 200 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 225 mW (Ta)
On-Resistance Max (RDS(on)) — 3.5 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-Source Voltage Max (VGS) — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Channel Mode — Enhancement Mode
Product Family — BSS138LT Series Small Signal MOSFET
Typical Applications — Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں