BSS205NH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS205NH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSR802NL6327HTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 - 20V N-Ch 2.5A MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS205NH6327XTSA1 - 20V N-Ch 2.5A MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS205NH6327XTSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSS205NH6327XTSA1 BSR802NL6327HTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS205NH6327XTSA1 BSR802NL6327HTSA1
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
العلبة PG-SOT23 (SC-59, TO-236-3), 3-pin PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Drain-Source Voltage V<sub>DS</sub> 20 V —
Continuous Drain Current I<sub>D</sub> (Ta) 2.5 A —
Power Dissipation P<sub>D</sub> (Ta) 500 mW —
R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=4.5 V) 85 mΩ —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C (junction) —
Gate Drive Voltage Logic-level compatible —
Qualification AEC-Q101 Automotive
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Packaging Tape & Reel (H6327) —
Technology — OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET)
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) max — 3.7 A (Ta=25C)
Power Dissipation (PD) max — 500 mW (Ta=25C)
On-Resistance (RDS(on)) typ — 23 mOhm @ VGS=4.5 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +150C
حالة RoHS — Compliant
عدد الأطراف — 3

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر