BSS205NH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS205NH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSR802NL6327HTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 - 20V N-Ch 2.5A MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS205NH6327XTSA1 - 20V N-Ch 2.5A MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS205NH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS205NH6327XTSA1 BSR802NL6327HTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS205NH6327XTSA1 BSR802NL6327HTSA1
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Paket PG-SOT23 (SC-59, TO-236-3), 3-pin PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Drain-Source Voltage V<sub>DS</sub> 20 V —
Continuous Drain Current I<sub>D</sub> (Ta) 2.5 A —
Power Dissipation P<sub>D</sub> (Ta) 500 mW —
R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=4.5 V) 85 mΩ —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C (junction) —
Gate Drive Voltage Logic-level compatible —
Qualification AEC-Q101 Automotive
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Packaging Tape & Reel (H6327) —
Technology — OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET)
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) max — 3.7 A (Ta=25C)
Power Dissipation (PD) max — 500 mW (Ta=25C)
On-Resistance (RDS(on)) typ — 23 mOhm @ VGS=4.5 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
RoHS Durumu — Compliant
Pin Sayısı — 3

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin