BSS316NH6327XTSA1 vs BSL215CH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS316NH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSL215CH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSS316NH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel and P-Channel Complementary Pair
Technology OptiMOS 2 (Trench) OptiMOS trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V at ID=3.7 uA —
Total Gate Charge (Qg) 600 pC at VGS=5 V —
Input Capacitance (Ciss) 94 pF at VDS=15 V —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: output capacitance] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +150 C —
العلبة PG-SOT23 (SOT-23-3) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
مستوى MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
حالة RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS
Drain-Source Voltage (V_DS) — 20 V
Continuous Drain Current (I_D) — 1.5 A
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V — 250 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (P_D) — 500 mW
العلبة / الحالة — PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP)
درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C
Configuration — Half-bridge (1 N + 1 P)
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر