BSS316NH6327XTSA1 vs BSL215CH6327XTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSS316NH6327XTSA1 bằng Infineon và BSL215CH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSS316NH6327XTSA1 - 30V N-Ch 1.4A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon
BSS316NH6327XTSA1 ✓ Hoạt độngInfineon
BSL215CH6327XTSA1 - 20V 1.5A N+P Complementary OptiMOS | Infineon
BSL215CH6327XTSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSS316NH6327XTSA1 | BSL215CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | N-Channel and P-Channel Complementary Pair |
| Technology | OptiMOS 2 (Trench) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ | 2 V at ID=3.7 uA | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 600 pC at VGS=5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 94 pF at VDS=15 V | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: output capacitance] | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C | 500 mW | — |
| Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +150 C | — |
| Hộp | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Plating | Pb-free (Matte Tin) | — |
| Cấp MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 1.5 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | — | 250 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 500 mW |
| Hộp / Vỏ | — | PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C |
| Configuration | — | Half-bridge (1 N + 1 P) |
| Lead-Free | — | Yes |