BSS316NH6327XTSA1 vs BSL215CH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS316NH6327XTSA1 توسط Infineon و BSL215CH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 - 30V N-Ch 1.4A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSS316NH6327XTSA1 - 30V N-Ch 1.4A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSS316NH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS316NH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel and P-Channel Complementary Pair
Technology OptiMOS 2 (Trench) OptiMOS trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V at ID=3.7 uA —
Total Gate Charge (Qg) 600 pC at VGS=5 V —
Input Capacitance (Ciss) 94 pF at VDS=15 V —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: output capacitance] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
محدوده دمای اتصال کاری -55 C to +150 C —
بسته‌بندی PG-SOT23 (SOT-23-3) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
سطح MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS
Drain-Source Voltage (V_DS) — 20 V
Continuous Drain Current (I_D) — 1.5 A
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V — 250 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (P_D) — 500 mW
بسته‌بندی / کیس — PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP)
دمای کاری — -55C to +150C
Configuration — Half-bridge (1 N + 1 P)
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت