BSS606NH6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS606NH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS214NWH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 - 60V 3.2A N-Ch MOSFET, SOT-89 | Infineon

BSS606NH6327XTSA1 - 60V 3.2A N-Ch MOSFET, SOT-89 | Infineon

BSS606NH6327XTSA1 ✓ نشط
Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSS606NH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS Small Signal/Power —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 3.2 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) —
On-Resistance (RDS(on)) 60 mΩ max @ VGS=10 V —
العلبة PG-SOT-89 (TO-243AA) PG-SOT323 (SOT-323-3)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +150°C —
Qualification Automotive (per family page) AEC-Q101 (Automotive)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
مستوى MSL 1 (per SOT-89 family standard) —
Reel Quantity 1000 pcs —
Part Number — BSS214NWH6327XTSA1
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر