BSS806NEH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS806NEH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS308PEH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | BSS806NEH6327XTSA1 | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSS806NEH6327XTSA1 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Mode of Operation | Enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V (maximum) | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 2.3 A (Ta) | -2 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 500 mW (Ta) |
| On-Resistance RDS(on) | 57 mOhm (maximum) | — |
| العلبة | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Yes (compliant) | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 °C to +150 °C |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| العلبة / الحالة | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| عدد الدبابيس | — | 3 |
| Qualification | — | AEC-Q101 Automotive |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |