BSS806NEH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS806NEH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS308PEH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS806NEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS806NEH6327XTSA1 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Mode of Operation Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V (maximum) -30 V
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) -2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
On-Resistance RDS(on) 57 mOhm (maximum) —
پیکیج PG-SOT23 (SOT-23-3) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Yes (compliant) —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 °C to +150 °C
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
پیکیج / کیس — PG-SOT23 (SOT-23-3)
پنز کی تعداد — 3
Qualification — AEC-Q101 Automotive
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں