BSZ031NE2LS5ATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ031NE2LS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC016N06NSTATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSZ031NE2LS5ATMA1 | BSC016N06NSTATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSZ031NE2LS5ATMA1 | BSC016N06NSTATMA1 |
| Technology / Platform | OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 25 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | 3.1 mOhm | — |
| RDS(on) typical @ VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 30 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +150 C | — |
| العلبة | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 31 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | — | 1.6 mOhm |
| Power Dissipation (Tc) | — | 167 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +150 C |
| Series | — | OptiMOS |