BSZ031NE2LS5ATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ031NE2LS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC016N06NSTATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ031NE2LS5ATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ031NE2LS5ATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Technology / Platform OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 3.1 mOhm —
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 30 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +150 C —
Paket PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Klorürsüz Yes —
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C
Series — OptiMOS

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin