BSZ031NE2LS5ATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ031NE2LS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC0501NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSZ031NE2LS5ATMA1 BSC0501NSIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon
Part Number BSZ031NE2LS5ATMA1 —
Technology / Platform OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V 3.1 mOhm —
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 30 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +150 C -55C to +150C
العلبة PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL] 1 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes —
Product Family — OptiMOS 5 25V/30V
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 50 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Rated — Yes
Technology — Trench-gate OptiMOS 5

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر