BSZ031NE2LS5ATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ031NE2LS5ATMA1 توسط Infineon و BSC0501NSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET 100A | Infineon

BSC0501NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET 100A | Infineon

BSC0501NSIATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSZ031NE2LS5ATMA1 BSC0501NSIATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon
Part Number BSZ031NE2LS5ATMA1 —
Technology / Platform OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V 3.1 mOhm —
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 30 W —
دمای اتصال کاری -55 C to +150 C -55C to +150C
بسته‌بندی PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL] 1 (per JEDEC J-STD-020)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes —
Product Family — OptiMOS 5 25V/30V
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 50 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Rated — Yes
Technology — Trench-gate OptiMOS 5

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت