BSZ0994NSATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ0994NSATMA1 بواسطة Infineon و BSC050N04LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSZ0994NSATMA1 | BSC050N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 30V | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 13 A | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 2.1 W | — |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | OptiMOS 3 (trench MOSFET) |
| العلبة | PG-TSDSON-8-25 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 8 | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| On-Resistance (RDS(on), typ @10V) | [DATA_NEEDED: RDS(on) typ @VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) | — | 18 A |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) | — | 85 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 57 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse avalanche) |