BSZ0994NSATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ0994NSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC050N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ0994NSATMA1 BSC050N04LSGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 30V —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 13 A —
Power Dissipation (PD, Ta) 2.1 W —
Technology Trench (OptiMOS 5) OptiMOS 3 (trench MOSFET)
پیکیج PG-TSDSON-8-25 (5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پنز کی تعداد 8 —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
On-Resistance (RDS(on), typ @10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) typ @VGS=10V] —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Packaging Tape & Reel —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں