BSZ130N03LSGATMA1 vs BSZ150N10LS3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ130N03LSGATMA1 بواسطة Infineon و BSZ150N10LS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSZ130N03LSGATMA1 | BSZ150N10LS3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 25V / 30V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25 C) | 10 A | — |
| تيار التصريف المستمر (TC=25°C) | 35 A | — |
| On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V | 13 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA | 2.2 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 25 W | — |
| العلبة | PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C (junction) | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Qualification | Industrial / Commercial (non-automotive) | — |
| Part Number | — | BSZ150N10LS3GATMA1 |
| Technology / Family | — | OptiMOS 3 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15 mΩ |
| Power Dissipation (TA=25 °C) | — | 2.1 W |
| تبديد القدرة (TC=25°C) | — | 63 W |
| Operating Temperature Range (TJ) | — | -55 °C to +150 °C |
| Gate Threshold VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Lead-Free / Reflow | — | Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible) |