BSZ130N03LSGATMA1 vs BSZ150N10LS3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ130N03LSGATMA1 מאת Infineon ו BSZ150N10LS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSZ130N03LSGATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 25V / 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Ta=25 C) 10 A —
זרם ניקוז רציף (TC=25°C) 35 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 13 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA 2.2 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 25 W —
מארז PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +150 C (junction) —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
נטול הלוגנים Yes —
Qualification Industrial / Commercial (non-automotive) —
Part Number — BSZ150N10LS3GATMA1
Technology / Family — OptiMOS 3
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) — 40 A
On-Resistance RDS(on) max — 15 mΩ
Power Dissipation (TA=25 °C) — 2.1 W
פיזור הספק (TC=25°C) — 63 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55 °C to +150 °C
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Lead-Free / Reflow — Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר