BTS3011TEATMA1 vs BTS3104SDRATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTS3011TEATMA1 بواسطة Infineon و BTS3104SDRATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BTS3011TEATMA1 BTS3104SDRATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Smart Low-Side Power Switch Low-side power switch (HITFET family)
Number of Channels 1 1
On-Resistance R_DS(on) (typ.) 11 mΩ —
Continuous Load Current 10 A —
Operating Voltage Range 3 V to 28 V —
Switch Technology N-channel vertical power MOSFET —
Input Type Logic-level CMOS compatible —
العلبة PG-TO252-5 (DPAK-5) PG-TO252-3-11 (DPAK)
عدد الدبابيس 5 (4 + Tab) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40 °C to +150 °C —
ESD Protection (HBM) ±8 kV (output pin) —
AEC-Q100 Qualification Grade 1 qualified —
Integrated Protections Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection —
Diagnostic Output Open-drain status feedback pin —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
تكوين الخرج — Low-side, N-channel
Drain-to-Source Voltage (V_DS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) — 2 A
On-State Resistance (R_DS(on)) Typ — [DATA_NEEDED: R_DS(on) value]
Input Logic Level — CMOS-compatible (active-high)
Supply Voltage (V_IN) — [DATA_NEEDED: V_IN range]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +150 C
Protection Features — Overtemperature, overcurrent, short-circuit, overvoltage, ESD
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
خالٍ من الهالوجين — Yes
مستوى MSL — 1

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر