BTS6133DAUMA1 vs BSD235CH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTS6133DAUMA1 بواسطة Infineon و BSD235CH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BTS6133DAUMA1 BSD235CH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BTS6133DAUMA1 —
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Technology SIPMOS (N-channel MOSFET with control IC) OptiMOS™ low-voltage
Switch Configuration 1:1 (single high-side) —
عدد المخارج 1 —
Peak Drain Current 41 A —
Continuous Load Current 8 A —
Operating Voltage Range [DATA_NEEDED: VBB operating range] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 25C] —
العلبة PG-TO252-5-11 (DPAK-5) —
عدد الأطراف 5 6
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +150C -55 °C to +150 °C (junction)
Protection Features Over-temperature, short-circuit, overload, under-voltage, over-voltage, current limitation —
Diagnostic Feedback Yes (status / fault pin) —
مستوى MSL 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for DPAK) 1
حالة RoHS Compliant Compliant (lead-free)
AEC-Q100 Qualified AEC-Q100 qualified (automotive grade) —
Datasheet Document Size 257 Kbytes (15 pages) —
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر