BTT62001ENAXUMA1 vs BTN9960LVAUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTT62001ENAXUMA1 بواسطة Infineon و BTN9960LVAUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BTT62001ENAXUMA1 BTN9960LVAUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Motor Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Smart High-Side Power Switch Integrated Half-Bridge Motor Driver
البنية الطوبولوجية 1:1 N-Channel High-Side P-channel high-side + N-channel low-side MOSFET with integrated driver IC
On-State Resistance (Ron) 200 mΩ (typical) —
Continuous Load Current 1.5 A —
Operating Voltage Range 5 V to 48 V —
Technology Smart6 HV (N-channel vertical MOSFET with charge pump) —
العلبة PG-TDSO-8-31 (DSO-8 with exposed pad) PG-HSOF-7-1
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Protection Features Overload, Short-Circuit, Over-Temperature, Over-Voltage, Reverse Battery Under-voltage, Over-current, Short-circuit, Over-temperature, Interleaved (shoot-through), Enable shutdown, Dead-time control
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin —
Lamp Drive Capability 1 × R10W at 24 V or 1 × R5W at 12 V —
درجة حرارة التشغيل -40 °C to +150 °C junction —
مستوى MSL 2A (4 weeks) —
ECCN EAR99 —
REACH Status REACH Unaffected —
Path Resistance (typ @ 25C) — 9.7 mOhm
Overcurrent Detection Threshold — 35 A
Supply Voltage Range (operating) — 8 V to 18 V
Supply Voltage Range (max rating) — 40 V
Logic Input Low Voltage (max) — 1.3 V
Logic Input High Voltage (min) — 1.6 V
Turn-On Rise Time (typ) — 2.5 us
Turn-Off Fall Time (typ) — 250 ns
Dead Time (typ) — 250 ns
Standby Current (max) — 3.3 uA
Propagation Delay (typ) — 3.6 us
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +150C
AEC-Q100 Qualification — Grade 1 qualified
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر