BTT62001ENAXUMA1 vs BTN9960LVAUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BTT62001ENAXUMA1 מאת Infineon ו BTN9960LVAUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BTT62001ENAXUMA1 BTN9960LVAUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Motor Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Smart High-Side Power Switch Integrated Half-Bridge Motor Driver
טופולוגיה 1:1 N-Channel High-Side P-channel high-side + N-channel low-side MOSFET with integrated driver IC
On-State Resistance (Ron) 200 mΩ (typical) —
Continuous Load Current 1.5 A —
Operating Voltage Range 5 V to 48 V —
Technology Smart6 HV (N-channel vertical MOSFET with charge pump) —
מארז PG-TDSO-8-31 (DSO-8 with exposed pad) PG-HSOF-7-1
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Protection Features Overload, Short-Circuit, Over-Temperature, Over-Voltage, Reverse Battery Under-voltage, Over-current, Short-circuit, Over-temperature, Interleaved (shoot-through), Enable shutdown, Dead-time control
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin —
Lamp Drive Capability 1 × R10W at 24 V or 1 × R5W at 12 V —
טמפרטורת פעולה -40 °C to +150 °C junction —
רמת MSL 2A (4 weeks) —
ECCN EAR99 —
REACH Status REACH Unaffected —
Path Resistance (typ @ 25C) — 9.7 mOhm
Overcurrent Detection Threshold — 35 A
Supply Voltage Range (operating) — 8 V to 18 V
Supply Voltage Range (max rating) — 40 V
Logic Input Low Voltage (max) — 1.3 V
Logic Input High Voltage (min) — 1.6 V
Turn-On Rise Time (typ) — 2.5 us
Turn-Off Fall Time (typ) — 250 ns
Dead Time (typ) — 250 ns
Standby Current (max) — 3.3 uA
Propagation Delay (typ) — 3.6 us
טווח טמפרטורת פעולה — -40C to +150C
AEC-Q100 Qualification — Grade 1 qualified
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר