CY14B101J2 vs CY14B101J2-SXI مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ CY14B101J2 بواسطة Infineon و CY14B101J2-SXI بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل CY14B101J2 CY14B101J2-SXI
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة nvSRAM (Non-Volatile SRAM) nvSRAM (Non-Volatile SRAM)
Density 1 Mbit (1049 kbits) 1049 kbits
التنظيم 128K x 8 128K x 8
الواجهة I2C (Serial) I2C Serial (2-wire)
Max Clock Frequency 3.4 MHz —
Data Retention 20 years 20 years
جهد التغذية [DATA_NEEDED: supply voltage range] [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Store Cycles [DATA_NEEDED: minimum non-volatile store cycles] —
SRAM Read/Write Cycles Unlimited (per nvSRAM architecture) —
Address Pins A0, A1, A2 —
Automatic Store Yes (internal power-fail detection) —
العلبة 16-SOIC (MO-119, 0.300 inch) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
حالة RoHS RoHS Compliant RoHS Compliant
Real Time Clock [DATA_NEEDED: RTC availability] —
حجم الذاكرة — 1 Mbit
أقصى تردد للساعة — 3.4 MHz
Package Type — 8-SOIC (0.300 inch, MO-119 family)
Write Endurance — Unlimited SRAM reads/writes; non-volatile STORE endurance [DATA_NEEDED: STORE endurance]
Store Mechanism — Software / auto-store with external VCAP capacitor
Packaging — Tube

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر