EDB2432B4MA-1DAUT-F-D vs EDB2432B4MA-1DAUT-F-R مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EDB2432B4MA-1DAUT-F-D بواسطة Micron Technology و EDB2432B4MA-1DAUT-F-R بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D - 2Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D ✓ نشطMicron Technology
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R - 2Gbit LPDDR2 DRAM 533MHz | Micron
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | EDB2432B4MA-1DAUT-F-D | EDB2432B4MA-1DAUT-F-R |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | Volatile Memory - DRAM | LPDDR2 SDRAM (DRAM, mobile LPDDR2) |
| Technology | SDRAM - Mobile LPDDR2 | — |
| حجم الذاكرة | 2 Gbit (64M x 32) | 2 Gbit |
| التنظيم | 64M x 32 | 64M x 32 |
| Clock Frequency | 533 MHz | 533 MHz |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| العلبة | 134-VFBGA (10 x 11.5 mm) | — |
| Package Construction | DDP (Double-Die Package) | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C (Automotive) | -40C to +125C |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Marking Code | D9WVG | — |
| Part Status | Active | — |
| Lead-Free Status | Lead free (-F suffix) | — |
| Halogen-Free Status | Halogen free (-F suffix) | — |
| جهد التغذية | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ supply voltage] | — |
| Write Cycle Time - Word, Page | [DATA_NEEDED: write cycle time] | — |
| Supply Voltage (Min) | — | 1.14 V |
| Supply Voltage (Max) | — | 1.3 V |
| العلبة / الحالة | — | 134-VFBGA (10 x 11.5 mm) |
| Die Package Configuration | — | DDP (Double Die Package) |
| Grade | — | Automotive (AUT) |
| Terminal Count | — | 134 |
| Memory Circuits | — | 1 |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |
| حالة RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |