EDB2432B4MA-1DAUT-F-D vs EDB2432B4MA-1DAUT-F-R तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EDB2432B4MA-1DAUT-F-D द्वारा Micron Technology और EDB2432B4MA-1DAUT-F-R द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D EDB2432B4MA-1DAUT-F-D - 2Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D - 2Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D ✓ सक्रिय
Micron Technology
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R EDB2432B4MA-1DAUT-F-R - 2Gbit LPDDR2 DRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-R - 2Gbit LPDDR2 DRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-R ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर EDB2432B4MA-1DAUT-F-D EDB2432B4MA-1DAUT-F-R
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार Volatile Memory - DRAM LPDDR2 SDRAM (DRAM, mobile LPDDR2)
Technology SDRAM - Mobile LPDDR2 —
मेमोरी आकार 2 Gbit (64M x 32) 2 Gbit
संगठन 64M x 32 64M x 32
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
पैकेज 134-VFBGA (10 x 11.5 mm) —
Package Construction DDP (Double-Die Package) —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C (Automotive) -40C to +125C
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Marking Code D9WVG —
Part Status Active —
Lead-Free Status Lead free (-F suffix) —
Halogen-Free Status Halogen free (-F suffix) —
सप्लाई वोल्टेज [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ supply voltage] —
Write Cycle Time - Word, Page [DATA_NEEDED: write cycle time] —
Supply Voltage (Min) — 1.14 V
Supply Voltage (Max) — 1.3 V
पैकेज / केस — 134-VFBGA (10 x 11.5 mm)
Die Package Configuration — DDP (Double Die Package)
Grade — Automotive (AUT)
Terminal Count — 134
Memory Circuits — 1
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)
RoHS स्थिति — [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

डेटाशीट और संसाधन

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