EP3SE260F1517I3 vs EP3SE260F1517C4N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SE260F1517I3 بواسطة Intel و EP3SE260F1517C4N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP3SE260F1517I3 | EP3SE260F1517C4N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | NRND |
| Family | Stratix III E | Field-Programmable Gate Array (FPGA) |
| Logic Elements | 255,000 | 255,000 |
| Embedded Memory (bits) | 16,672,768 | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 10,200 | 10,200 |
| Maximum User I/Os | 976 | 976 |
| العلبة | 1517-BBGA, FCBGA | 1517-BBGA, FCBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature Grade | Industrial | — |
| Junction Temperature Range | -40C to +125C | — |
| Core Voltage | 1.0 V typical | 0.9 V |
| Process Technology | 65 nm CMOS | — |
| Maximum Core Frequency | 717 MHz | — |
| I/O Standards Supported | LVDS, LVTTL, LVCMOS, HSTL, SSTL | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Configuration | SRAM-based, volatile (requires external configuration device) | — |
| Series | — | Stratix® III E |
| Embedded Memory | — | 16,672,768 bits |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to 85°C |
| Process Node | — | 65 nm |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Lead Free | — | [DATA_NEEDED: lead-free status] |
| Maximum Transceiver Data Rate | — | 12.5 Gbps |