EP3SE260F1517I3 vs EP3SE260F1517C4N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE260F1517I3 द्वारा Intel और EP3SE260F1517C4N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3SE260F1517I3 | EP3SE260F1517C4N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | NRND |
| Family | Stratix III E | Field-Programmable Gate Array (FPGA) |
| Logic Elements | 255,000 | 255,000 |
| Embedded Memory (bits) | 16,672,768 | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 10,200 | 10,200 |
| Maximum User I/Os | 976 | 976 |
| पैकेज | 1517-BBGA, FCBGA | 1517-BBGA, FCBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature Grade | Industrial | — |
| Junction Temperature Range | -40C to +125C | — |
| Core Voltage | 1.0 V typical | 0.9 V |
| Process Technology | 65 nm CMOS | — |
| Maximum Core Frequency | 717 MHz | — |
| I/O Standards Supported | LVDS, LVTTL, LVCMOS, HSTL, SSTL | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Configuration | SRAM-based, volatile (requires external configuration device) | — |
| Series | — | Stratix® III E |
| Embedded Memory | — | 16,672,768 bits |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to 85°C |
| Process Node | — | 65 nm |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Lead Free | — | [DATA_NEEDED: lead-free status] |
| Maximum Transceiver Data Rate | — | 12.5 Gbps |