EP3SE260H780I4LG vs EP3SE50F780I4LG مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SE260H780I4LG بواسطة Intel و EP3SE50F780I4LG بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP3SE260H780I4LG | EP3SE50F780I4LG |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | NRND | NRND |
| Series | Stratix III Enhanced | Stratix III E |
| Family | EP3SE260 | Stratix III |
| Logic Elements | 255,000 LE | 47,500 |
| Adaptive Logic Modules (ALMs) | 102,000 ALM | 19,000 |
| Embedded Memory | 15.90 Mbit | 5.49 Mbit |
| DSP Blocks | 304 | Yes (dedicated, count not in source data) |
| 18x18 Multipliers | 840 | — |
| User I/O | 488 | — |
| PLLs | 8 (4 fractional + 4 general-purpose) | — |
| Speed Grade | -4 | — |
| Temperature Grade | Industrial (I) | — |
| العلبة | 780-ball FineLine BGA (HBGA) | 780-ball FCBGA (FBGA-780) |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +100C | — |
| Process Technology | 65 nm low-power CMOS | — |
| Configuration Method | JTAG / Passive Serial / Fast Passive Parallel / Active Serial | — |
| Maximum User I/Os | — | 488 |
| Operating Supply Voltage (Core) | — | 1.1 V |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40 C to +100 C |
| Process Node | — | 65 nm |
| High-Speed Transceivers | — | Multi-gigabit, count not in source data |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (G suffix = Pb-free) |
| Packaging | — | Tray |
| نوع الذاكرة | — | Embedded SRAM block RAM |