EP4CE40F29C6N vs EP4CE40F29C7 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP4CE40F29C6N بواسطة Intel و EP4CE40F29C7 بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP4CE40F29C6N | EP4CE40F29C7 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Family | Cyclone IV E | Cyclone IV E |
| Logic Elements | 39,600 | — |
| Embedded Memory (bits) | 1,161,216 | — |
| Embedded Memory Blocks | 113 M9K blocks | — |
| 18x18 Hardware Multipliers | 66 | — |
| PLLs | 4 general-purpose | 4 |
| Maximum User I/Os | 532 | — |
| العلبة | 780-ball FBGA (F29) | 780-ball FBGA (F29) |
| Process Node | 60 nm | — |
| Core Voltage | 1.2 V (internal regulated) | 1.2 V |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +85°C (commercial) | 0C to +85C (Commercial, C7 speed grade) |
| Speed Grade | 6 | — |
| Configuration Modes | Serial, JTAG, Passive Serial, AS | Passive Serial, Active Serial, JTAG |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 3 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Logic Elements (LE) | — | 39,600 |
| Embedded Memory Bits | — | 1,161,216 bits |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | 113 |
| User I/O Count | — | 532 |
| Process Technology | — | 60 nm (TSMC low-power) |
| I/O Voltage Support | — | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V |
| Memory Interface Support | — | DDR, DDR2, QDR II, SDR |
| I/O Standards | — | LVDS, LVPECL, SSTL, HSTL, LVTTL, LVCMOS |
| Lead-Free | — | Yes |