EP4CE40F29C6N vs EP4CE40F29C7 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CE40F29C6N द्वारा Intel और EP4CE40F29C7 द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CE40F29C6N | EP4CE40F29C7 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | Cyclone IV E | Cyclone IV E |
| Logic Elements | 39,600 | — |
| Embedded Memory (bits) | 1,161,216 | — |
| Embedded Memory Blocks | 113 M9K blocks | — |
| 18x18 Hardware Multipliers | 66 | — |
| PLLs | 4 general-purpose | 4 |
| Maximum User I/Os | 532 | — |
| पैकेज | 780-ball FBGA (F29) | 780-ball FBGA (F29) |
| Process Node | 60 nm | — |
| Core Voltage | 1.2 V (internal regulated) | 1.2 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +85°C (commercial) | 0C to +85C (Commercial, C7 speed grade) |
| Speed Grade | 6 | — |
| Configuration Modes | Serial, JTAG, Passive Serial, AS | Passive Serial, Active Serial, JTAG |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 3 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Logic Elements (LE) | — | 39,600 |
| Embedded Memory Bits | — | 1,161,216 bits |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | 113 |
| User I/O Count | — | 532 |
| Process Technology | — | 60 nm (TSMC low-power) |
| I/O Voltage Support | — | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V |
| Memory Interface Support | — | DDR, DDR2, QDR II, SDR |
| I/O Standards | — | LVDS, LVPECL, SSTL, HSTL, LVTTL, LVCMOS |
| Lead-Free | — | Yes |