EP4CE40U19A7N vs EP4CE40F23C8N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP4CE40U19A7N بواسطة Intel و EP4CE40F23C8N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP4CE40U19A7N | EP4CE40F23C8N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Series | Cyclone IV E | — |
| Family | EP4CE40 | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LE) | 39,600 | — |
| Embedded Memory (bits) | 1,161,216 (113 Kbytes) | — |
| Embedded Multipliers (18x18) | 116 | — |
| M9K Memory Blocks | 66 | — |
| Maximum User I/O | 328 | 328 |
| PLLs | 4 | 4 |
| Global Clock Networks | 20 | — |
| العلبة | 484-ball FBGA (U19) | 484-ball FBGA (FineLine BGA), 1.0 mm pitch |
| Grade | Automotive (A7 = -40C to 125C TJ) | — |
| Process Technology | 60 nm low-power CMOS | 60 nm low-power |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -40C to +125C | — |
| Storage Temperature | -65C to +150C | — |
| Configuration Modes | JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP) | JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS) |
| External Memory Support | DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM | — |
| I/O Standards | LVDS, SSTL, HSTL, PCI, LVTTL, LVCMOS | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Logic Elements | — | 39,600 |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 2,475 |
| Embedded Memory | — | 1,134 Kbit (M9K blocks) |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | 66 |
| User I/O Banks | — | 8 |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Maximum Operating Frequency | — | 200 MHz |
| نوع التركيب | — | Surface Mount (BGA) |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0C to +85C (commercial) |
| Lead-Free | — | Yes |