EP4CE40U19A7N vs EP4CE40F23C8N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CE40U19A7N द्वारा Intel और EP4CE40F23C8N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CE40U19A7N | EP4CE40F23C8N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Series | Cyclone IV E | — |
| Family | EP4CE40 | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LE) | 39,600 | — |
| Embedded Memory (bits) | 1,161,216 (113 Kbytes) | — |
| Embedded Multipliers (18x18) | 116 | — |
| M9K Memory Blocks | 66 | — |
| Maximum User I/O | 328 | 328 |
| PLLs | 4 | 4 |
| Global Clock Networks | 20 | — |
| पैकेज | 484-ball FBGA (U19) | 484-ball FBGA (FineLine BGA), 1.0 mm pitch |
| Grade | Automotive (A7 = -40C to 125C TJ) | — |
| Process Technology | 60 nm low-power CMOS | 60 nm low-power |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -40C to +125C | — |
| Storage Temperature | -65C to +150C | — |
| Configuration Modes | JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP) | JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS) |
| External Memory Support | DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM | — |
| I/O Standards | LVDS, SSTL, HSTL, PCI, LVTTL, LVCMOS | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Logic Elements | — | 39,600 |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 2,475 |
| Embedded Memory | — | 1,134 Kbit (M9K blocks) |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | 66 |
| User I/O Banks | — | 8 |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Maximum Operating Frequency | — | 200 MHz |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount (BGA) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0C to +85C (commercial) |
| Lead-Free | — | Yes |