EP4CE55F29C9LN vs EP4CE55F29C8N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP4CE55F29C9LN بواسطة Intel و EP4CE55F29C8N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP4CE55F29C9LN | EP4CE55F29C8N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | NRND |
| Family | Cyclone IV E | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LE) | 55,856 | 55,856 |
| Embedded Memory | 2,396,160 bits | 2,340 Kbits |
| Embedded 18x18 Multipliers | 374 | — |
| Logic Array Blocks (LAB) | 3,491 | — |
| M9K Memory Blocks | 260 | — |
| PLLs | 4 | 4 to 8 (per device) |
| Maximum User I/O Pins | 374 | 374 |
| Technology Node | 60 nm | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.2 V | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | 0 °C to 85 °C (commercial) | — |
| العلبة | 780-ball FBGA (F29) | 780-ball FBGA (F29) |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free terminal finish, suffix 'N') | — |
| Speed Grade | C9 | 8 (commercial) |
| Embedded Multiplier Blocks (18x18) | — | 154 |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 3,491 |
| Process Technology | — | 60 nm (TSMC low-power) |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Temperature Grade | — | Commercial (0 C to +85 C) |
| Configuration Method | — | SRAM-based, volatile (requires external config device) |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per part marking) |