EP4CE55F29C9LN vs EP4CE55F29C8N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CE55F29C9LN द्वारा Intel और EP4CE55F29C8N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CE55F29C9LN | EP4CE55F29C8N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | NRND |
| Family | Cyclone IV E | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LE) | 55,856 | 55,856 |
| Embedded Memory | 2,396,160 bits | 2,340 Kbits |
| Embedded 18x18 Multipliers | 374 | — |
| Logic Array Blocks (LAB) | 3,491 | — |
| M9K Memory Blocks | 260 | — |
| PLLs | 4 | 4 to 8 (per device) |
| Maximum User I/O Pins | 374 | 374 |
| Technology Node | 60 nm | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | 0 °C to 85 °C (commercial) | — |
| पैकेज | 780-ball FBGA (F29) | 780-ball FBGA (F29) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free terminal finish, suffix 'N') | — |
| Speed Grade | C9 | 8 (commercial) |
| Embedded Multiplier Blocks (18x18) | — | 154 |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 3,491 |
| Process Technology | — | 60 nm (TSMC low-power) |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Temperature Grade | — | Commercial (0 C to +85 C) |
| Configuration Method | — | SRAM-based, volatile (requires external config device) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per part marking) |