EP4CGX110DF23I7N vs EP4CGX110CF23C8N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP4CGX110DF23I7N بواسطة Intel و EP4CGX110CF23C8N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP4CGX110DF23I7N | EP4CGX110CF23C8N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Family | Cyclone IV GX | Cyclone IV GX |
| Logic Elements | 109,424 | 109,424 |
| Logic Array Blocks (LABs) | 6,839 | 6,839 |
| User I/O Pins | 270 | — |
| Embedded Memory | 4.4 Mbits (approximate) | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 56 | — |
| Transceivers | Up to 3.125 Gbps embedded transceivers | 4 channels |
| Core Supply Voltage (VCCINT) | 1.15 V to 1.25 V (nominal 1.2 V) | — |
| Process Technology | 60 nm low-power CMOS | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +100C (industrial) | 0 C to 85 C (commercial) |
| Speed Grade | 7 | C8 |
| العلبة | 484-ball FBGA, 23 x 23 mm, 1.00 mm pitch | 484-ball FBGA (F23) |
| Package Code | BGA (FBGA) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Configuration Memory | SRAM-based (volatile, requires external config device) | — |
| Embedded Memory (bits) | — | 5,621,760 |
| User I/O Count | — | 270 |
| Transceiver Data Rate (max) | — | 3.125 Gbps |
| DSP Blocks (18x18 multipliers) | — | [DATA_NEEDED: DSP block count] |
| Process Node | — | 60 nm |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Lead-Free | — | Yes |
| مستوى MSL | — | 3 |
| Configuration Method | — | Quartus Prime / JTAG / Active Serial |