EP4CGX110DF23I7N vs EP4CGX110CF23C8N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CGX110DF23I7N द्वारा Intel और EP4CGX110CF23C8N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CGX110DF23I7N | EP4CGX110CF23C8N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | Cyclone IV GX | Cyclone IV GX |
| Logic Elements | 109,424 | 109,424 |
| Logic Array Blocks (LABs) | 6,839 | 6,839 |
| User I/O Pins | 270 | — |
| Embedded Memory | 4.4 Mbits (approximate) | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 56 | — |
| Transceivers | Up to 3.125 Gbps embedded transceivers | 4 channels |
| Core Supply Voltage (VCCINT) | 1.15 V to 1.25 V (nominal 1.2 V) | — |
| Process Technology | 60 nm low-power CMOS | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +100C (industrial) | 0 C to 85 C (commercial) |
| Speed Grade | 7 | C8 |
| पैकेज | 484-ball FBGA, 23 x 23 mm, 1.00 mm pitch | 484-ball FBGA (F23) |
| Package Code | BGA (FBGA) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Configuration Memory | SRAM-based (volatile, requires external config device) | — |
| Embedded Memory (bits) | — | 5,621,760 |
| User I/O Count | — | 270 |
| Transceiver Data Rate (max) | — | 3.125 Gbps |
| DSP Blocks (18x18 multipliers) | — | [DATA_NEEDED: DSP block count] |
| Process Node | — | 60 nm |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL स्तर | — | 3 |
| Configuration Method | — | Quartus Prime / JTAG / Active Serial |