EP4CGX110DF23I7N vs EP4CGX110CF23C8N השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של EP4CGX110DF23I7N מאת Intel ו EP4CGX110CF23C8N מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | EP4CGX110DF23I7N | EP4CGX110CF23C8N |
|---|---|---|
| מותג | Intel | Intel |
| קטגוריה | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Family | Cyclone IV GX | Cyclone IV GX |
| Logic Elements | 109,424 | 109,424 |
| Logic Array Blocks (LABs) | 6,839 | 6,839 |
| User I/O Pins | 270 | — |
| Embedded Memory | 4.4 Mbits (approximate) | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 56 | — |
| Transceivers | Up to 3.125 Gbps embedded transceivers | 4 channels |
| Core Supply Voltage (VCCINT) | 1.15 V to 1.25 V (nominal 1.2 V) | — |
| Process Technology | 60 nm low-power CMOS | — |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +100C (industrial) | 0 C to 85 C (commercial) |
| Speed Grade | 7 | C8 |
| מארז | 484-ball FBGA, 23 x 23 mm, 1.00 mm pitch | 484-ball FBGA (F23) |
| Package Code | BGA (FBGA) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Configuration Memory | SRAM-based (volatile, requires external config device) | — |
| Embedded Memory (bits) | — | 5,621,760 |
| User I/O Count | — | 270 |
| Transceiver Data Rate (max) | — | 3.125 Gbps |
| DSP Blocks (18x18 multipliers) | — | [DATA_NEEDED: DSP block count] |
| Process Node | — | 60 nm |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Lead-Free | — | Yes |
| רמת MSL | — | 3 |
| Configuration Method | — | Quartus Prime / JTAG / Active Serial |