EP4CGX110DF31C7N vs EP4CGX110DF31C8N مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP4CGX110DF31C7N بواسطة Intel و EP4CGX110DF31C8N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل EP4CGX110DF31C7N EP4CGX110DF31C8N
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة نشط نشط
Family Cyclone IV GX Cyclone IV GX
Logic Elements 109,424 109,424
Embedded Memory (bits) 5,621,760 —
Maximum User I/O 475 —
Process Technology 60 nm 60 nm low-power CMOS
Core Voltage (VCCINT) 1.2 V nominal (1.16 V to 1.24 V) —
PLL Analog Voltage (VCCA) 2.5 V nominal (2.375 V to 2.625 V) —
I/O Bank Voltage (VCCIO) 1.2 V to 3.3 V (bank-dependent) —
Transceivers 8 channels, up to 3.125 Gbps 8 high-speed transceivers up to 3.125 Gbps
Hard IP Block PCIe Gen1 x1/x2/x4 —
PLLs 4 general-purpose 4 general-purpose PLLs
العلبة 896-ball FBGA (F31) 896-ball FineLine BGA (F31), 31 mm
Speed Grade C7 (commercial) 8
Operating Temperature (Commercial) 0 °C to 85 °C (TJ) 0C to 85C
نوع التركيب Surface Mount —
حالة RoHS Compliant Compliant
Logic Array Blocks (LABs) — 6,839
Embedded Memory Bits — 5,621,760 (approximately 702 Kbits)
Embedded Memory Blocks — M9K blocks, 9-bit parity
DSP Blocks (18x18 Multipliers) — 264 multipliers
Maximum User I/Os — 475
I/O Banks — 8
PCI Express Hard IP — PCIe Gen1/Gen2 x1/x2/x4
Core Supply Voltage — 1.2 V
Configuration — SRAM-based, supports AS, PS, JTAG, FPP

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر