EP4CGX110DF31C7N vs EP4CGX110DF31C8N Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma EP4CGX110DF31C7N tarafından Intel ve EP4CGX110DF31C8N tarafından IntelAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre EP4CGX110DF31C7N EP4CGX110DF31C8N
Marka Intel Intel
Kategori FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Family Cyclone IV GX Cyclone IV GX
Logic Elements 109,424 109,424
Embedded Memory (bits) 5,621,760 —
Maximum User I/O 475 —
Process Technology 60 nm 60 nm low-power CMOS
Core Voltage (VCCINT) 1.2 V nominal (1.16 V to 1.24 V) —
PLL Analog Voltage (VCCA) 2.5 V nominal (2.375 V to 2.625 V) —
I/O Bank Voltage (VCCIO) 1.2 V to 3.3 V (bank-dependent) —
Transceivers 8 channels, up to 3.125 Gbps 8 high-speed transceivers up to 3.125 Gbps
Hard IP Block PCIe Gen1 x1/x2/x4 —
PLLs 4 general-purpose 4 general-purpose PLLs
Paket 896-ball FBGA (F31) 896-ball FineLine BGA (F31), 31 mm
Speed Grade C7 (commercial) 8
Operating Temperature (Commercial) 0 °C to 85 °C (TJ) 0C to 85C
Montaj Türü Surface Mount —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Logic Array Blocks (LABs) — 6,839
Embedded Memory Bits — 5,621,760 (approximately 702 Kbits)
Embedded Memory Blocks — M9K blocks, 9-bit parity
DSP Blocks (18x18 Multipliers) — 264 multipliers
Maximum User I/Os — 475
I/O Banks — 8
PCI Express Hard IP — PCIe Gen1/Gen2 x1/x2/x4
Core Supply Voltage — 1.2 V
Configuration — SRAM-based, supports AS, PS, JTAG, FPP

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin