H5AN4G6NBJR-UHC vs H5ANAG4NBJR-UHC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G6NBJR-UHC بواسطة SK hynix و H5ANAG4NBJR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN4G6NBJR-UHC | H5ANAG4NBJR-UHC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| Technology | CMOS | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +95C | -40C to +95C |
| العلبة | FBGA-96 (PBGA-96) | FBGA-96 (PBGA96) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | Yes |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | Yes |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock / Data Rate | — | 1.6 GHz |
| الواجهة | — | CMOS, DDR4 (double data rate) |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] |